制ITO粉设备
大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展
2022年6月17日 本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征，分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势，总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状，最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。 关键词: 氧化 2022年3月31日 ITO复合粉体的制备方法有很多种,常用的方法有共沉淀法、水热法、低温制备法、溶胶-凝胶法、喷雾燃烧法 、减压-挥发氧化法等。其中共沉淀法工艺流程简单, 实 纳米ITO粉制备方法 知乎2021年6月20日 众所周知，ITO溅射靶材是将氧化铟和氧化锡粉按一定比例混合后，在高温气氛（1600度，氧气烧结）中经过一系列生产工艺形成的黑灰色陶瓷半导体。 以ITO靶 ITO（氧化铟锡）靶材的四种主要成型方法 知乎
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高致密ITO靶材制备工艺的研究现状及发展趋势--中国期刊网
2021年6月17日 压制成形是将松散的ITO粉末原料放入设计好的模具中，并施加一定的压力后便获得块状坯体的一种成形方法，在加压过程中 ITO 粉末发生颗粒位移、重新排列、 李锦桥设计出制备ITO靶材的专用设备，将ITO粉体冷等静压压成大块溅 射靶坯体，然后在0.1~0.5MPa纯氧环境中，在1500~I600C高温烧结，可以生产 密度达理论密度95%的溅 ito靶材的制备 百度文库ITO 靶材的应用就必须从 ITO 膜的应用出发 . 铟锡氧化物 ( ITO ) 薄膜具有对可见光透明和良好的导电性. 其对可见光透过率≥. 95% ; 对紫外线的吸收率≥85% ; 对红外线的反射 铟锡氧化物 (ITO) 靶材的应用和制备技术_百度文库
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ITO靶材成型方法是什么？ 知乎
2021年8月11日 ITO靶材 主要有四种成型方法 真空热压--真空热压法是利用 热能 和 机械能 使 陶瓷材料 致密化的工艺,可生产 密度 为91%~96%的 高密度 ITO 陶瓷靶材 .过程如下: 2019年8月20日 浅谈ITO靶材 郭梓旋 高纯靶材研发、生产。 长期以来，ITO靶材的主要市场份额都在国外靶材生产商手中，国内只能在相对低端的行业取得一点机会。 一、ITO靶 浅谈ITO靶材 知乎2021年8月23日 ITO靶材制备方法--常温烧结. 常温烧结法 的主要优点是: (1)靶材尺寸不受设备限制,可以生产大尺寸靶材. (2) 设备投资 少,生产成本低,生产效率高,靶材性能优良,易于工业化生产. (3)该方法适用于高端 显示器 镀膜靶材的性能要求. 它的缺点是: (1)该方法与其他方法ITO溅射靶材不同制作方法的优缺点是什么？ 知乎
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大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展
2022年6月17日 由于生坯以及烧结炉中的氧气，ITO失氧分解及挥发得到有效抑制，从而以较短时间烧结制备得到大尺寸、高致密细晶粒的ITO靶材，制备的ITO靶材尺寸大于700 mm×500 mm，相对密度在99.5%以上，晶粒 2022年10月11日 ITO 靶材制作流程主要包含制金属氧化物粉体、研磨、ITO 粉制造、模压成型、 气氛烧结、机加工、绑定、检测等步骤。 典型 ITO 靶材制备工艺： 1、溶解：将铟锭放入反应釜，并加入 68%硝酸，充分反应后，通过水浴加热至 90℃左反应约 24h，溶解完成后过滤掉未反应的铟锭。光伏行业专题研究：HJT靶材崛起在即_腾讯新闻由此可见, ITO 靶材的成形方案选择不同, 粉末粒径和成形压力的变化以及烧结温 度的改变都会影响靶材的密度. 在现有成形技术中, 热等静压设备昂贵, 成本较高; 粉浆 30%. 作为液晶显示器用的透明导电极 ITO 获得高速发展, 约占功能膜的50% 以上 利 .铟锡氧化物 (ITO) 靶材的应用和制备技术_百度文库
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高致密ITO靶材制备工艺的研究现状及发展趋势--中国期刊网
2021年6月17日 其主要缺点为：靶材尺寸受设备压力和压缸的限制，制备大尺寸靶材困难。 1.3粉浆浇筑成形 粉浆浇注是将粉末与其特定的液体制成一定浓度的悬浮粉浆，注入具有所需形状的模具中，通过模具吸水作用使悬浮液固化，制得具一定形状的素坯的一种成形方法。2020年3月1日 李锦桥设计出制备ITO靶材的专用设备，将ITO粉体冷等静压压成大块溅射靶坯体，然后在0. 1~0.5MPa纯氧环境中，在1500~l600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的溅射靶。这种高温高氧烧结炉已由浙江长兴益丰特种溅射靶窑业有限公司研制成功ito靶材的制备（材料）|ito-人人范文网手机版2023年3月31日 一种ito废靶重制ito粉、高密度靶材及其制备方法 技术领域 1.本发明属于ito靶材生产技术领域，具体涉及一种ito废靶重制ito粉、高密度靶材及其制备方法。 背景技术： 2.ito靶材是一种铟锡复合氧化物陶瓷材料，基于该靶材制备的半导体薄膜具有高电子迁移率、高透光率和低生长温度的优异特性，因此一种ITO废靶重制ITO粉、高密度靶材及其制备方法与流程 X
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ITO：LCD、OLED、异质结光伏技术构建需求格局 知乎
2022年12月27日 ITO：LCD、OLED、异质结光伏技术构建需求格局. 什么是 ITO 靶材？. 1600℃高纯烧结的“氧化铟锡”材料. ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，在显示靶材中占比将近 50%。. ITO 靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一2014年6月10日 结论(1)以水热法合成的粒径为(708)IllTI 和(40 6)Ilm 的单分散ITO 粉体按比例混合,经冷等静 压成型,并经1300oC 烧结1.5h 和1400oC 烧结1 h,最后可制备得到纯度大于99.99%,相对密度为 99.28%的ITO 陶瓷靶材.高密度氧化铟锡（ITO）靶材的制备研究 豆丁网ITO 靶材的应用就必须从 ITO 膜的应用出发 . 铟锡氧化物 ( ITO ) 薄膜具有对可见光透明和良好的导电性. 其对可见光透过率≥. 95% ; 对紫外线的吸收率≥85% ; 对红外线的反射率≥70% ; 对微波的衰减率≥85%,ITO. 膜层硬度高且耐磨耐蚀, 因而在工业上获得了广泛应用铟锡氧化物 (ITO) 靶材的应用和制备技术_百度文库
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国内镀膜（PVD）设备发展现状如何？ 知乎
2020年11月29日 半导体PVD设备龙头打破垄断，未来国产化有望进一步提升，到底发展的怎么样。国内企业方面，北方华创（002371）的 exiTin H430 TiN 金属硬掩膜PVD是国内首台专门针对 40nm以下制程的12寸金属硬掩膜设备。2022年8月6日 ito粉做成的ito靶材是一种电子陶瓷材料，主要用于磁控溅射镀制ito 膜。3.ito靶材分为平面靶材和旋转靶材。ito靶材主要的成型方法为模压+冷等静压和浆料浇筑成型，其中ito平面靶材主要生成方式为：在机械压制后，再经过冷等静压成型最后烧结一种ITO平面靶材及其制备方法与流程 X技术网2022年4月8日 业界一直在研发可替代ITO的材料，例如其他透明导电氧化物，导电性高分子材料，纳米材料，金属网等。. 在太阳能薄膜电池领域，由于成本在产品竞争中的重要性，其他两种透明导电氧化物FTO和和ZNO，虽然导电性能不如ITO，但成本更低。. 而且由于太阳 导电薄膜ITO的应用、缺陷和替代材料 知乎
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一种Zn掺杂氧化铟锡粉体及其制备方法 X技术网
2023年4月21日 目ito研究侧重靶材的制备，粉体制备方面仍有许多欠缺之处，需要不断的创新以适应新的制模方法。3.在制备高性能ito薄膜的过程中，分散性好、粒度分布窄、晶粒度高、电学性能好的ito粉体尤为重要。常见的ito粉体制备方法有溶胶- 凝胶法2012年7月4日 1.ー种大尺寸ITO靶材的制备方法，其特征在于具体制备步骤包括如下 (1)取ITO粉，将不同的纳米级别的ITO粉按比例进行配料，然后加入ITO粉5 30wt% 的去离子水和1 10wt%的分散剂聚乙ニ醇，再通过3 15小时的球磨至过200目筛，最后用去离子水洗涤1 3次； (2)将步骤 (1)制备一种大尺寸ito靶材的制备方法 X技术网2021年7月15日 ITO的全称是氧化铟锡，是由不同比例的铟、锡和氧组成的。ITO和ITO溅射靶的物质是一样的，后者实际上是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO溅射靶材的制作方法目，制备ITO靶材的成型方法主要有四种，每种方法在具体应用中各有优势。关于 ITO 溅射靶材你需要知道的一切 材料 小木虫 学术
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铟、氧化锡和ITO粉末的制备及性能研究.pdf 豆丁网
2016年10月25日 C；Zeta电位测试表明氧化铟在pH＝2．6处和pH－－9．8处有两个等电点，氧化锡pH＝3．1处、pn＝8．9处和pH值＝10．2处有三个等电点；光谱性能测试表明氧化铟出现部分红移现象，氧化锡的光学带隙变窄，ITO粉末的在可见光区平均透过率88％以上；电学性能测试表明2023年8月9日 HJT的低温度系数意味着，在组件高温运行环境中，HJT电池具有相对较高的发电性能，从而实现发电量增益，并且降低系统的度电成本。. 若考虑电池工作温度超出环境温度10-40℃,而全年平均环境温度相比实验室标准工况低5-10℃,HJT电池每W发电量高出双面PERC电池约0光伏电池之HJT（异质结电池） 知乎2016年3月27日 ito 纳米粉体 共沉淀法制备 纳米 化学 工艺. 化学液相共沉淀法制备lTO纳米粉体的工艺研究摘要氧化铟锡（ITO）是一种锡掺杂的半导体材料，铟消费量的80％以上用于铟锡氧化物透明电极。. 由ITo纳米粉体制成靶材，然后通过直流磁控溅射制成的ITo薄膜，是 化学液相共沉淀法制备ITO纳米粉体的工艺研究 豆丁网
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一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法与流程 X技术网
2020年5月8日 本发明涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，然后 2021年1月5日 本发明属于无机功能材料技术领域，具体涉及一种单分散纳米ito的制备方法。背景技术氧化铟锡(tindopedindiumoxide，ito)是一种锡掺杂氧化铟的n型半导体材料，由in2o3和sno2按照一定比例掺杂而成，具有立方相(c-ito)和六方相(h-ito)两种结构。ito薄膜除拥有优良的光电性能外，还因具有灵敏度高、体积小、对一种单分散纳米ITO的制备方法与流程 X技术网2019年8月12日 图4 超声波电解制备铁粉装置图 2.2.3羟基法 机理：将某些金属(铁、镍等)与一氧化碳合成为金属羰基化合物，再热分解为金属粉末和一氧化碳。 应用：工业上主要用来生产镍和铁的细粉和超细粉，以及Fe-Ni、Fe-Co、Ni-Co等合金粉末 优缺点：这样制得的粉末很细，纯度很高，但成本高。技术干货|金属粉末怎么“造”？ 知乎
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